一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法

摘要

一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法，可实现去除衬底耦合效应的目的。包括：（1）对硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯待插层样品进行清洁处理；（2）按照1∶1的体积比配制氢氟酸和浓硝酸的混合酸溶液，并将待插层样品浸泡于混合酸溶液中；（3）向混合酸溶液中加入金属钼块，使得所述混合酸溶液与金属钼发生剧烈反应；（4）待步骤3所述过程持续10～20小时后，将样品取出，清洁、烘干后得插层处理后的硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯样品。插层后氟将界面缓冲层之间的键打断并将悬挂件饱和，同时部分缓冲层被转化为石墨烯。本发明具有简单，对设备要求低等优点，在工业生产领域有着较大的应用潜力。

主权项

一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法，包括以下步骤：步骤1：对硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯待插层样品进行清洁处理，以去除所述待插层样品表面的污染物；步骤2：配制氢氟酸和浓硝酸的混合酸溶液；采用质量浓度为47%～51%的氢氟酸和质量浓度为65%的浓硝酸按照1∶1的体积比配制氢氟酸和浓硝酸的混合酸溶液；步骤3：经步骤1处理后的待插层样品室温下浸泡于步骤2所配制的混合酸溶液中，并在通风良好的环境下投入金属钼，使得所述混合酸溶液与金属钼发生剧烈反应，并生成大量NO₂气体；步骤4：待步骤3所述过程持续10～20小时后，将硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯样品取出，清洁、烘干后得插层处理后的硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯样品。