一种提高光刻胶灰化率的ICP干式清洗方法

摘要

本发明提出一种提高光刻胶灰化率的ICP干式清洗方法，包括以下步骤：1)在抛光后的蓝宝石表面旋涂一层1.0～3.0μm的光刻胶，对光刻胶进行曝光，经过显影得到具有规则图形阵列的光刻胶掩膜；2)将蓝宝石衬底用ICP刻蚀，获得图形化蓝宝石衬底；3)进行灰化处理；4)使用硫酸、双氧水混合溶液进行清洗；5)进行外延层生长。本发明一种新的提高光刻胶灰化率并简化ICP后清洗步骤的干式清洗方法：在蓝宝石图形刻蚀完后通入一定流量比的O₂与SF₆的混合气体，其中SF₆流量占总气体流量的5％～15％，能有效提高等离子中氧原子浓度和活化光刻胶的生成量，增大光刻胶灰化率，从而有效地提高离子注入后去除光刻胶的能力。

主权项

一种提高光刻胶灰化率的ICP干式清洗方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤： 1)制备蓝宝石衬底： 在抛光后的蓝宝石表面旋涂一层1.0～3.0μm的光刻胶，然后通过步进式光刻机对光刻胶进行曝光，经过显影得到具有规则图形阵列的光刻胶掩膜； 2)将显影后带光刻胶的蓝宝石衬底用ICP(电感耦合等离子体刻蚀)刻蚀，通入BCl₃或Cl₂或两者与CHF₃的混合气体同步刻蚀光刻胶和蓝宝石衬底，将光刻胶图形转移到蓝宝石衬底表面，获得图形化蓝宝石衬底； 3)刻蚀完后通入一定流量比的SF₆和O₂的混合气体对残余光刻胶进行灰化处理，其中，SF₆占总气体流量的5％～15％； 4)灰化处理结束后，使用体积比H₂SO₄(98％):H₂O₂(30％)＝4:1的硫酸、双氧水混合溶液进行清洗； 5)清洗至无光刻胶残留的洁净表面后，进行外延层生长。