| 发明名称 | 静电放电保护结构 | ||
| 摘要 | 一种静电放电保护结构，包括：P型半导体衬底；位于所述P型半导体衬底表面并列设置的若干NMOS晶体管，位于所述P型半导体衬底内的连接区和N型阱区，所述N型阱区至少位于所述连接区和NMOS晶体管之间；所述N型阱区、NMOS晶体管的漏极与静电放电输入端相连接，所述NMOS晶体管的源极与接地端相连。由于N型阱区至少位于所述连接区和NMOS晶体管之间，当外界静电脉冲产生的静电电压施加到所述静电放电输入端时，所述N型阱区会将NMOS晶体管的衬底电压提升，使得NMOS晶体管的源极和衬底很容易开启，有利于提高静电放电保护结构的导通均匀性，提高静电保护能力。 | ||
| 申请公布号 | CN104103635A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201310113685.6 | 申请日期 | 2013.04.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 甘正浩 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：P型半导体衬底；位于所述P型半导体衬底表面并列设置的若干NMOS晶体管，位于所述P型半导体衬底内的连接区和N型阱区，所述N型阱区位于所述连接区和NMOS晶体管之间；所述N型阱区、NMOS晶体管的漏极与静电放电输入端相连接，所述NMOS晶体管的源极与接地端相连。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||