发明名称 |
高功率单裸片半导体封装 |
摘要 |
提供了一种高功率单裸片半导体封装。半导体封装包括单个半导体裸片以及导电和导热的基底。单个半导体裸片包含半导体主体,该半导体主体具有相对的第一和第二表面以及在第一和第二表面之间的绝缘面。单个半导体裸片进一步包含在第一表面上的第一电极和在第二表面上的第二电极。单个半导体裸片具有在第一和第二表面之间测量的限定的厚度,沿着绝缘面中的一个绝缘面测量的限定的宽度,以及沿着绝缘面中的另一个绝缘面测量的限定的长度。基底被附着于在单个半导体裸片的第二表面处的第二电极,并且具有与单个半导体裸片相同的长度和宽度。 |
申请公布号 |
CN104103608A |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201410136465.X |
申请日期 |
2014.04.04 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
吴国财;王明中 |
分类号 |
H01L23/34(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华 |
主权项 |
一种半导体封装,包括:单个半导体裸片,所述单个半导体裸片包括:半导体主体,具有相对的第一表面和第二表面,以及在所述第一表面和所述第二表面之间的绝缘面;在所述第一表面处的第一电极;以及在所述第二表面处的第二电极,所述单个半导体裸片具有在所述第一表面和所述第二表面之间测量的限定的厚度,沿着所述绝缘面中的一个绝缘面测量的限定的宽度,以及沿着所述绝缘面中的另一个绝缘面测量的限定的长度;以及导电和导热基底,所述导电和导热基底附着至在所述单个半导体裸片的所述第二表面处的所述第二电极,所述基底具有与所述单个半导体裸片相同的长度和宽度。 |
地址 |
德国诺伊比贝尔格 |