发明名称 |
一种幅度检测装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种幅度检测装置,包括相互连接的偏置电路和幅度检测电路;其中:所述偏置电路,在两路输入差动信号的控制下,为幅度检测电路的两个尾电流源管提供两路差动的偏置电压;所述幅度检测电路,将两路输入的差动信号转换为两路差动输出的直流值。本实用新型所述幅度检测装置,可以克服现有技术中存在直流失调、成本高和功耗大等缺陷,以实现差动输出、成本低和功耗小的优点。 |
申请公布号 |
CN203881854U |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201420180846.3 |
申请日期 |
2014.04.15 |
申请人 |
无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司 |
发明人 |
潘文光;肖时茂;黄伟;于云丰 |
分类号 |
G01R29/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01R29/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 |
代理人 |
姜万林 |
主权项 |
一种幅度检测装置,其特征在于,包括相互连接的偏置电路和幅度检测电路;其中:所述偏置电路,在用户输入的差动信号的控制下,为幅度检测电路的两个尾电流源管提供两路差动的偏置电压;所述幅度检测电路,将两路输入的差动信号转换为两路差动输出的直流值;所述偏置电路,包括全差分放大器;所述全差分放大器,分别与所述幅度检测电路的两个尾电流源管连接,将两路输入的差动信号转换成差动输出的电压信号,控制幅度检测电路的两个尾电流源管;所述偏置电路,具体包括NMOS管M<sub>1</sub>、M<sub>2</sub>、M<sub>7</sub>、M<sub>8</sub>和M<sub>9</sub>,以及PMOS管M<sub>3</sub>、M<sub>4</sub>、M<sub>5</sub>和M<sub>6</sub>;其中:所述NMOS管M<sub>9</sub>为尾电流源管,尾电流源管M<sub>9</sub>的栅端连接到偏置电压V<sub>BN</sub>,源端连接到地,漏端连接到两个输入NMOS管M<sub>1</sub>和M<sub>2</sub>的源端;尾电流源管M<sub>9</sub>在偏置电压V<sub>BN</sub>下,为该全差分放大器提供偏置尾电流;所述NMOS管M<sub>1</sub>是输入管,其栅端连接反相输入端V<sub>IN</sub>,漏端连接PMOS管M<sub>3</sub>的栅端和漏端,源端连接NMOS管M<sub>2</sub>的源端以及NMOS管M<sub>9</sub>的漏端;NMOS管M<sub>2</sub>是输入管,其栅端连接同相输入端V<sub>IP</sub>,漏端连接PMOS管M<sub>4</sub>的栅端和漏端,源端连接NMOS管M<sub>1</sub>的源端以及NMOS管M<sub>9</sub>的漏端;所述PMOS管M<sub>3</sub>的源端连接到电源V<sub>DD</sub>,它的栅端和漏端连接在一起,并连接到NMOS管M<sub>1</sub>的漏端,还连接到PMOS管M<sub>6</sub>的栅端;PMOS管M<sub>4</sub>的源端连接到电源V<sub>DD</sub>,它的栅端和漏端连接在一起,并连接到NMOS管M<sub>2</sub>的漏端,还连接到PMOS管M<sub>5</sub>的栅端;PMOS管M<sub>5</sub>的源端连接到电源V<sub>DD</sub>,栅端连接到PMOS管M<sub>4</sub>的栅端和漏端,其漏端连接到NMOS管M<sub>7</sub>的栅端和漏端;PMOS管M<sub>6</sub>的源端连接到电源V<sub>DD</sub>,栅端连接到PMOS管M<sub>3</sub>的栅端和漏端,其漏端连接到NMOS管M<sub>8</sub>的栅端和漏端;所述NMOS管M<sub>7</sub>的栅端和漏端连接在一起,并连接到PMOS管M<sub>5</sub>的漏端,还连接到幅度检测电路中的NMOS管M<sub>11</sub>的栅端,它的源端连接到地;NMOS管M<sub>8</sub>的栅端和漏端连接在一起,并连接到PMOS管M<sub>6</sub>的漏端,还连接到与幅度检测电路连接的NMOS管M<sub>10</sub>的栅端,它的源端连接到地;所述幅度检测电路,具体包括NMOS管M<sub>10</sub>、M<sub>11</sub>、M<sub>12</sub>、M<sub>13</sub>、M<sub>14</sub>和M<sub>15</sub>,PMOS管M<sub>16</sub>和M<sub>17</sub>,以及电容C<sub>1</sub>和C<sub>2</sub>;其中:所述尾电流源NMOS管M<sub>10</sub>的栅端连接偏置电路中的M<sub>8</sub>的栅端和漏端,M<sub>10</sub>的源端接地,M<sub>10</sub>的漏端连接到NMOS管M<sub>12</sub>和M<sub>13</sub>的源端;所述NMOS管M<sub>12</sub>的栅端连接到反相输入端V<sub>IN</sub>,它的源端连接到NMOS管M<sub>13</sub>的源端和NMOS管M<sub>10</sub>的漏端,它的漏端连接到同相输出端V<sub>OP</sub>,还连接到NMOS管M<sub>14</sub>的漏端、PMOS管M<sub>16</sub>的栅端和漏端以及电容C<sub>1</sub>的一端;NMOS管M<sub>13</sub>的栅端连接到同相输入端V<sub>IP</sub>,它的源端连接到NMOS管M<sub>12</sub>的源端和NMOS管M<sub>10</sub>的漏端,它的漏端连接到反相输出端V<sub>ON</sub>,还连接到NMOS管M<sub>15</sub>的漏端、PMOS管M<sub>17</sub>的栅端和漏端以及电容C<sub>2</sub>的一端;所述PMOS管M<sub>16</sub>的源端连接电源V<sub>DD</sub>,栅端和漏端连接在一起连接到同相输出端V<sub>OP</sub>,还连接到NMOS管M<sub>12</sub>的漏端、NMOS管M<sub>14</sub>的漏端以及电容C<sub>1</sub>的一端;电容C<sub>1</sub>的一端连接同相输出端V<sub>OP</sub>,另一端连接电源V<sub>DD</sub>;所述尾电流源NMOS管M<sub>11</sub>的栅端连接偏置电路中的M<sub>7</sub>的栅端和漏端,M<sub>11</sub>的源端接地,漏端连接到NMOS管M<sub>14</sub>和M<sub>15</sub>的源端;所述NMOS管M<sub>14</sub>的栅端连接到同相输入端V<sub>IP</sub>,它的源端连接到NMOS管M<sub>15</sub>的源端和NMOS管M<sub>11</sub>的漏端,它的漏端连接到同相输出端V<sub>OP</sub>,还连接到NMOS管M<sub>12</sub>的漏端、PMOS管M<sub>16</sub>的栅端和漏端以及电容C<sub>1</sub>的一端;NMOS管M<sub>15</sub>的栅端连接到反相输入端V<sub>IN</sub>,它的源端连接到NMOS管M<sub>14</sub>的源端和NMOS管M<sub>11</sub>的漏端,它的漏端连接到反相输出端V<sub>ON</sub>,还连接到NMOS管M<sub>13</sub>的漏端、PMOS管M<sub>17</sub>的栅端和漏端以及电容C<sub>2</sub>的一端;所述PMOS管M<sub>17</sub>的源端连接电源VDD,栅端和漏端连接在一起连接到反相输出端V<sub>ON</sub>,还连接到NMOS管M<sub>13</sub>的漏端、NMOS管M<sub>15</sub>的漏端以及电容C<sub>2</sub>的一端;电容C<sub>2</sub>的一端连接反相输出端V<sub>ON</sub>,另一端连接电源V<sub>DD</sub>。 |
地址 |
214000 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号微纳传感国际创新园C楼 |