栅极的形成方法

摘要

一种栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅介质材料层，所述栅介质材料层上具有保护材料层，所述保护材料层上具有伪栅材料层；刻蚀所述伪栅材料层，在所述保护材料层上形成伪栅；在所述伪栅的侧壁表面外延形成第一侧墙；以所述伪栅和所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述保护材料层，形成保护层，所述保护层的宽度大于所述伪栅的宽度；在所述第一侧墙的侧壁表面外延形成第二侧墙；以所述伪栅和第二侧墙为掩膜刻蚀所述栅介质材料层，形成栅介质层，所述栅介质层的宽度大于所述保护层的宽度。本发明所形成的栅极中栅介质层、保护层和伪栅呈阶梯状结构，性能佳。

主权项

一种栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅介质材料层，所述栅介质材料层上具有保护材料层，所述保护材料层上具有伪栅材料层；刻蚀所述伪栅材料层，在所述保护材料层上形成伪栅；在所述伪栅的侧壁表面外延形成第一侧墙；以所述伪栅和所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述保护材料层，直至暴露出所述栅介质材料层，形成保护层，所述保护层的宽度大于所述伪栅的宽度；在所述第一侧墙的侧壁表面外延形成第二侧墙；以所述伪栅和第二侧墙为掩膜刻蚀所述栅介质材料层，直至暴露出所述半导体衬底表面，形成栅介质层，所述栅介质层的宽度大于所述保护层的宽度；去除所述第二侧墙和所述第一侧墙。