| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的形成方法，包括：在半导体衬底上形成栅介质层；对栅介质层进行杂质掺杂，用于调整晶体管的功函数；进行杂质掺杂后，在栅介质层上形成栅极。本发明对栅介质层进行杂质掺杂，可以在栅介质层中形成功函数调整区。而且，该杂质掺杂过程可以有效控制杂质掺杂的浓度、时间，可以形成均匀掺杂并避免掺杂杂质扩散进入衬底。而且，可以增大栅介质层的介电常数，进而减小晶体管的等效氧化层厚度。另外，对栅介质层进行杂质掺杂而不再形成功函数调整层，可以相应减小晶体管的厚度尺寸，有利于半导体技术向更小特征尺寸迈进，促进半导体工艺的进步。 | ||
| 申请公布号 | CN104103502A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201310113277.0 | 申请日期 | 2013.04.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何永根;陈勇 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成栅介质层；对所述栅介质层进行杂质掺杂，用于调整晶体管的功函数；进行杂质掺杂后，在所述栅介质层上形成栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||