掩膜只读存储器制造方法

摘要

本发明公开了一种掩膜只读存储器制造方法，在栅极及其侧墙完成之后，先淀积一层层间介质并平坦化，使后期制作的岛型图案更加稳固地立于栅极上方，光刻工艺窗口增加，淀积的介质层采用部分或全部的接触孔介质层，而不需额外生长或去除，不额外增加制造成本。

主权项

一种掩膜只读存储器制造方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：第1步，在硅衬底上制作形成有源区及隔离区；第2步，在有源区内形成所述掩膜只读存储器的每个存储单元晶体管的栅氧化层和栅极；第3步，注入形成源区及漏区；第4步，制作形成栅极的侧墙；第5步，进行第一层间介质的淀积；第6步，对第一层间介质进行平坦化；第7步，进行部分存储单元晶体管阈值电压调节的注入；第8步，其他层间介质的淀积及平坦化；第9步，制作接触孔；第10步，制作金属引线及钝化层。