具有低导通电阻之金氧半元件的几何结构

摘要

本发明揭示一种形成于一基材上的金氧半(MOS)元件及形成该金氧半元件的方法。该金氧半元件包含：一汲极区域；一闸极区域，其系围绕该汲极区域；复数个源极区域，其系排列成围绕该闸极区域并与该汲极区域相对；及复数个基板区域，其系排列成围绕该闸极区域并分隔该源极区域，其中该闸极区域围绕该汲极区域形成一回圈。在此方式中，金氧半元件的导通电阻(on－resistance,Ron)会降低而不会同时增加金氧半元件的面积。

主权项

一种形成于一基材上的金氧半导体Metal Oxide Semiconductor,MOS)元件，该金氧半导体元件包含：一汲极区域，具有一正方形的形状；一闸极区域，(i)其系围绕该汲极区域并且(ii)围绕该汲极区域形成一封闭回圈，其中该封闭回圈具有对应至该汲极区域的形状之形状；复数个源极区域，(i)其系排列成围绕该闸极区域并(ii)与该汲极区域相对；以及复数个基板区域，(i)其系排列成围绕该闸极区域并(ii)分隔该等源极区域，其中该汲极区域的每一边都与该等源极区域中之一对准，且该源极区域的宽度与该汲极区域的宽度相等或较该汲极区域的宽度更宽。