发明名称 微细间距凸块制造方法及其结构
摘要   一种微细间距凸块制造方法,包含提供一矽基板;形成一含钛金属层于该矽基板,且该含钛金属层具有复数个第一区段及第二区段;形成一光阻层于该含钛金属层;图案化该光阻层以形成复数个开槽;形成复数个铜凸块于该些开槽,各该铜凸块具有一第一顶面及一环壁;进行一加热步骤,该光阻层受热形成为复数个本体部及复数个可移除部;对该光阻层进行一蚀刻步骤,以移除该些可移除部;形成复数个凸块保护层于该含钛金属层、各该铜凸块之该第一顶面及该环壁;形成复数个可润湿层于该些凸块保护层;移除该光阻层;以及移除该含钛金属层之该些第二区段,以使该含钛金属层之各该第一区段形成为一凸块下金属层,且各该凸块下金属层具有一凸块承载部及一延伸部。
申请公布号 TWI456676 申请公布日期 2014.10.11
申请号 TW101105172 申请日期 2012.02.17
申请人 颀邦科技股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区东区力行五路3号 发明人 施政宏;谢永伟;林淑真;林政帆;戴华安
分类号 H01L21/60;H01L23/488 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 张启威 高雄市鼓山区龙胜路68号
主权项 一种微细间距凸块制造方法,其至少包含下列步骤: 提供一矽基板,该矽基板系具有一表面、复数个设置于该表面之焊垫及一设置于该表面之保护层,该保护层系具有复数个开口,且该些开口系显露该些焊垫; 形成一含钛金属层于该矽基板,该含钛金属层系覆盖该保护层及该些焊垫,且该含钛金属层系具有复数个第一区段及复数个位于该些第一区段外侧之第二区段; 形成一光阻层于该含钛金属层; 图案化该光阻层以形成复数个开槽,该些开槽系对应该含钛金属层之该些第一区段; 形成复数个铜凸块于该些开槽,各该铜凸块系具有一第一顶面及一环壁; 进行一加热步骤,以扩大该光阻层之各该开槽,且该光阻层系受热形成为复数个本体部及复数个可移除部; 对该光阻层进行一蚀刻步骤,以移除该些可移除部并显露出该含钛金属层; 形成复数个凸块保护层于该含钛金属层、各该铜凸块之该第一顶面及该环壁,各该凸块保护层系具有一凸块覆盖部及一金属层覆盖部,该凸块覆盖部系包覆各该铜凸块之该第一顶面及该环壁且该凸块覆盖部系具有一第二顶面; 形成复数个可润湿层于该些第二顶面; 移除该光阻层之该些本体部;以及 移除该含钛金属层之该些第二区段,以使该含钛金属层之各该第一区段形成为一位于各该铜凸块下之凸块下金属层,且各该凸块下金属层系具有一位于各该铜凸块下之凸块承载部及一凸出于各该铜凸块之该环壁之延伸部,各该凸块保护层之该金属层覆盖部系覆盖各该凸块下金属层之该延伸部。
地址 新竹市新竹科学工业园区东区力行五路3号