发明名称 薄膜电晶体
摘要 本发明涉及一种薄膜电晶体,其包括:一源极;一汲极,该汲极与该源极间隔设置;一半导体层,该半导体层与该源极和汲极电连接;以及一闸极,该闸极通过一绝缘层与该半导体层、源极及汲极及绝缘设置;其中,所述半导体层包括一奈米碳管薄膜,该奈米碳管薄膜包含复数个首尾相连且择优取向排列的奈米碳管,至少部分奈米碳管的排列方向沿源极向汲极延伸。
申请公布号 TWI456767 申请公布日期 2014.10.11
申请号 TW097120168 申请日期 2008.05.30
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 姜开利;李群庆;范守善
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项 一种薄膜电晶体,包括:一源极;一汲极,该汲极与该源极间隔设置;一半导体层,该半导体层与该源极和汲极电连接;以及一闸极,该闸极通过一绝缘层与该半导体层、源极及汲极绝缘设置,其改良在于,所述半导体层包括一奈米碳管薄膜,该奈米碳管薄膜包含复数个通过凡得瓦力首尾相连且择优取向排列的奈米碳管,至少部分奈米碳管的排列方向沿源极到汲极延伸。
地址 新北市土城区自由街2号