| 发明名称 |
修补氧化物半导体层之缺陷的方法 |
| 摘要 |
一种修补氧化物半导体层之缺陷的方法，包括下列步骤。首先提供一基板，并于基板上形成一氧化物半导体层。接着将基板载入一反应室内，并于反应室内通入至少一有机气体，以使反应室内形成一有机气体环境。随后，在有机气体环境下对氧化物半导体层进行一退火制程，以修补氧化物半导体层之缺陷。 |
| 申请公布号 |
TWI456662 |
申请公布日期 |
2014.10.11 |
| 申请号 |
TW100134784 |
申请日期 |
2011.09.27 |
| 申请人 |
友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |
发明人 |
高逸群;杜振源;林俊男;吴淑芬 |
| 分类号 |
H01L21/335;H01L21/336;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/335 |
| 代理机构 |
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代理人 |
吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
| 主权项 |
一种修补氧化物半导体层之缺陷的方法，包括：提供一基板，并于该基板上形成一氧化物半导体层；将该基板载入一反应室内，并于该反应室内通入至少一有机气体，以使该反应室内形成一有机气体环境；以及在该有机气体环境下对该氧化物半导体层进行一退火制程，以修补该氧化物半导体层之缺陷。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |
