发明名称 |
记忆体阵列的程式化方法 |
摘要 |
一种记忆体阵列的程式化方法。其中,记忆体阵列包括由第一电晶体、多个记忆胞与第二电晶体串接而成的记忆胞串,且记忆体阵列的程式化方法包括下列步骤。在设定阶段内,关闭这些记忆胞中的切换记忆胞,并施加第一电压与第二电压至切换记忆胞的第一源极/汲极区与第二源极/汲极区。在程式化阶段内,浮接与记忆胞串相连的位元线,并提供斜波讯号至与切换记忆胞电性相连的字元线。 |
申请公布号 |
TWI456575 |
申请公布日期 |
2014.10.11 |
申请号 |
TW100149794 |
申请日期 |
2011.12.30 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
蔡文哲;蔡秉宏;黄竣祥 |
分类号 |
G11C16/10 |
主分类号 |
G11C16/10 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种记忆体阵列的程式化方法,其中该记忆体阵列包括由一第一电晶体、多个记忆胞与一第二电晶体串接而成的一记忆胞串,且该记忆体阵列的程式化方法包括:在ㄧ设定阶段内,关闭该些记忆胞中的一切换记忆胞,并施加一第一电压与一第二电压至该切换记忆胞的一第一源极/汲极区与一第二源极/汲极区;以及在一程式化阶段内,浮接与该记忆胞串相连的一位元线,并提供一斜波讯号至与该切换记忆胞电性相连的一字元线。 |
地址 |
新竹市科学工业园区力行路16号 |