半导体积体结构的制造方法

摘要

提供一种积体电路元件及制造积体电路元件的方法。此积体电路元件中包含核心元件及输入输出电路。每一个核心元件和输入输出电路皆包含有一P型金氧半导体(P-type Metal Oxide Semiconductor；PMOS)结构及一N型金氧半导体(N-type Metal Oxide Semiconductor；NMOS)结构。每一个PMOS包含有位于高K值(介电常数)介电材料层上之P型(P-Type)金属功函数层，且每一个NMOS包含有位于高K值介电材料层上N型(N-Type)金属功函数层。于输入输出电路中，高K值介电材料层下有一氧化层。

主权项

一种半导体积体结构的制造方法，包含：提供具有一第一区及一第二区的一基材；形成具有一第一材料之一第一介电层于该第一区之该基材上；形成具有一第二材料之一第二介电层于该第二区之该基材上，其中该第二材料不同于该第一材料；形成一牺牲闸极层于该第一介电层和该第二介电层上；图案化该牺牲闸极层、该第一介电层和该第二介电层，以形成复数个闸极堆叠于该第一区和该第二区中；形成一层间介电(Interlayer Dielectric；ILD)层于该第一区和该第二区的该些闸极堆叠中；去除该第一区及第二区中之该牺牲闸极层；以及去除至少一部分之该第二介电层。