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Verfahren zum Aufnehmen einer Vielzahl von Halbleiterchips, welche durch ein Unterteilen eines Halbleiterwafers (W) ausgebildet werden, umfassend:–einen Halbleiterchip-Halteschritt eines Haltens der Vielzahl von Halbleiterchips (T) durch Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen (4, 4a), welches zahlreiche Poren (41) aufweist, welche in der Oberfläche ausgebildet sind, wobei eine Adsorptionskraft erzeugt wird, indem die Halbleiterchips (T) auf der Oberfläche des elastischen Adsorptionskissens (4, 4a) angeordnet werden und ein Unterdruck in das elastische Adsorptionskissen (4, 4a) eingebracht wird, um zu bewirken, dass die Halbleiterchips an das elastische Adsorptionskissen (4, 4a) angezogen werden, und dabei die Poren (41), welche in der Oberfläche ausgebildet sind, quetschen, wodurch bei Unterbrechung des eingebrachten Unterdrucks infolge einer Rückstellkraft, die durch die Elastizität des Adsorptionskissens (4, 4a) erzeugt wird, und der Anhaftung des Adsorptionskissens (4, 4a) an den Halbleiterchips (T), in den Poren (41) ein Unterdruck resultiert, der die Adsorptionskraft in dem elastischen Adsorptionskissen (4, 4a) erzeugt, um die Halbleiterchips (T) an dem elastischen Adsorptionskissen zu halten; und–einen Halbleiterchip-Aufnahmeschritt eines Aufnehmens der Halbleiterchips (T) in einem Zustand, in welchem Luft in den Poren (41) durch ein Erwärmen des elastischen Adsorptionskissens (4, 4a), welches die Vielzahl von Halbleiterchips (T) durch Adsorption hält, bei einer vorbestimmten Temperatur expandiert wird, wodurch die Vielzahl von Halbleiterchips (T) leicht von dem elastischen Adsorptionskissen (4, 4a) getrennt werden kann. |
