| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体装置，降低了导通电阻且减小了反馈电容Crss。该半导体装置具有：第1导电型的集电层；第2导电型的漂移层，其配置在所述集电层上；第2导电型的夹层，其杂质浓度高于所述漂移层，并与所述漂移层接触而配置在所述漂移层上；第1导电型的基层，其配置在所述夹层上；第2导电型的发射区，其嵌入在所述基层的上表面的一部分中；槽，其在所述基层的表面具有开口部，且具有从所述基层的表面起至少贯通所述基层的深度；绝缘膜，其配置在所述槽的内壁上；以及控制电极，其隔着所述绝缘膜与所述基层相对地配置在所述槽内，所述绝缘膜的厚度形成为与所述夹层相对的区域比与所述基层相对的区域厚。 | ||
| 申请公布号 | CN203871336U | 申请公布日期 | 2014.10.08 |
| 申请号 | CN201420151248.3 | 申请日期 | 2014.03.31 |
| 申请人 | 三垦电气株式会社 | 发明人 | 鸟居克行 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;黄纶伟 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：第1导电型的集电层；第2导电型的漂移层，其配置在所述集电层上；第2导电型的夹层，其杂质浓度高于所述漂移层，并与所述漂移层相接而配置在所述漂移层上；第1导电型的基层，其配置在所述夹层上；第2导电型的发射区，其嵌入在所述基层的上表面的一部分中；槽，其在所述基层的表面具有开口部，且具有从所述基层的表面起至少贯通所述基层的深度；绝缘膜，其配置在所述槽的内壁上；以及控制电极，其隔着所述绝缘膜与所述基层相对地配置在所述槽内，所述绝缘膜的厚度形成为：与所述夹层相对的区域比与所述基层相对的区域厚。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||