发明名称 提高可靠性的微凸点结构及制作方法
摘要 本发明涉及一种提高可靠性的微凸点结构及制作方法,包括半导体基体,半导体基体正面设有钝化层,钝化层中设置微凸点结构,微凸点结构包括设置于半导体基板表面的焊盘、设置于焊盘表面的种子层和设置于种子层上的微凸点;其特征是:在所述微凸点结构的外周的钝化层上设置刻蚀槽。所述微凸点结构的制作方法,采用以下步骤:在半导体基板上制作焊盘和钝化层;在钝化层上刻蚀形成开窗,开窗的位置与焊盘一一对应;在钝化层上表面制作种子层;在种子层上涂覆光刻胶;将焊盘上方的光刻胶去除,将焊盘周围的光刻胶、种子层和钝化层去除;在焊盘上制作凸点,进行回流焊,形成微凸点。本发明有效防止微凸点裂纹的扩展,提高微凸点可靠性。
申请公布号 CN104091793A 申请公布日期 2014.10.08
申请号 CN201410346165.4 申请日期 2014.07.18
申请人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 发明人 何洪文;孙鹏;曹立强
分类号 H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/485(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人 殷红梅;刘海
主权项 一种提高可靠性的微凸点结构,包括半导体基体(1),在半导体基体(1)正面设有钝化层(4),在钝化层(4)中设置微凸点结构(2);所述微凸点结构(2)包括设置于半导体基板(1)表面的焊盘(3)、设置于焊盘(3)表面的种子层(5)和设置于种子层(5)上的微凸点(6);其特征是:在所述微凸点结构(2)的外周设置刻蚀槽,刻蚀槽位于钝化层(4)上,刻蚀槽由钝化层(4)的上表面延伸至半导体基板(1)的表面。
地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋