发明名称 |
P-型氧化物、用于制造P-型氧化物的组合物、用于制造P-型氧化物的方法、半导体元件、显示元件、图像显示装置、和系统 |
摘要 |
提供p-型氧化物,其包括氧化物,其中所述氧化物包括:Cu;和元素M,其选自p区元素,并且其在作为离子存在时能够处于平衡状态,其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态,和其中所述p-型氧化物是非晶的。 |
申请公布号 |
CN104094407A |
申请公布日期 |
2014.10.08 |
申请号 |
CN201280068524.3 |
申请日期 |
2012.11.28 |
申请人 |
株式会社理光 |
发明人 |
安部由希子;植田尚之;中村有希;高田美树子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一 |
分类号 |
H01L29/24(2006.01)I;C01G30/00(2006.01)I;G02F1/1365(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
宋莉 |
主权项 |
p‑型氧化物,其包括:氧化物,其中所述氧化物包括:Cu;和元素M,其选自p区元素,并且其在作为离子存在时能够处于平衡状态,其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态,并且其中所述p‑型氧化物是非晶的。 |
地址 |
日本东京都 |