发明名称 |
集成电路装置及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种集成电路装置及其制备方法,本发明的集成电路装置的一实施例,包含一下晶片,具有一第一介电区块及一第一导电区块,该第一导电区块设置于该第一介电区块之上;至少一堆叠晶片,具有一第二介电区块及一第二导电区块,该第二导电区块设置于该第二介电区块之上,其中该堆叠晶片以一中间粘着层予以接合该下晶片之上,且在该下晶片及该堆叠晶片之间没有焊垫;以及至少一导电插塞,实质上以直线方式贯穿该堆叠晶片且深入该下晶片,其中该导电插塞设置于该第一导电区块及该第二导电区块之内。本发明使焊垫制造相当复杂且昂贵的问题得以解决。 |
申请公布号 |
CN102623444B |
申请公布日期 |
2014.10.08 |
申请号 |
CN201110082960.3 |
申请日期 |
2011.03.31 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
锺瑞萱 |
分类号 |
H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/065(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
郑小军;冯志云 |
主权项 |
一种集成电路装置,包含:一下晶片,具有一第一介电区块及一第一导电区块,该第一导电区块设置于该第一介电区块之上,并包含一基部及一环形侧壁,该环形侧壁设置于该基部之上;至少一堆叠晶片,具有一第二介电区块及一第二导电区块,该第二导电区块呈环形并设置于该第二介电区块之上,其中该堆叠晶片以一中间粘着层予以接合该下晶片之上,且在该下晶片及该堆叠晶片之间没有焊垫;以及至少一导电插塞,实质上以直线方式贯穿该堆叠晶片且深入该下晶片,其中该导电插塞设置于该第一导电区块及该第二导电区块之内。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |