发明名称 集成电路装置及其制备方法
摘要 本发明公开了一种集成电路装置及其制备方法,本发明的集成电路装置的一实施例,包含一下晶片,具有一第一介电区块及一第一导电区块,该第一导电区块设置于该第一介电区块之上;至少一堆叠晶片,具有一第二介电区块及一第二导电区块,该第二导电区块设置于该第二介电区块之上,其中该堆叠晶片以一中间粘着层予以接合该下晶片之上,且在该下晶片及该堆叠晶片之间没有焊垫;以及至少一导电插塞,实质上以直线方式贯穿该堆叠晶片且深入该下晶片,其中该导电插塞设置于该第一导电区块及该第二导电区块之内。本发明使焊垫制造相当复杂且昂贵的问题得以解决。
申请公布号 CN102623444B 申请公布日期 2014.10.08
申请号 CN201110082960.3 申请日期 2011.03.31
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 锺瑞萱
分类号 H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I 主分类号 H01L25/065(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 郑小军;冯志云
主权项 一种集成电路装置,包含:一下晶片,具有一第一介电区块及一第一导电区块,该第一导电区块设置于该第一介电区块之上,并包含一基部及一环形侧壁,该环形侧壁设置于该基部之上;至少一堆叠晶片,具有一第二介电区块及一第二导电区块,该第二导电区块呈环形并设置于该第二介电区块之上,其中该堆叠晶片以一中间粘着层予以接合该下晶片之上,且在该下晶片及该堆叠晶片之间没有焊垫;以及至少一导电插塞,实质上以直线方式贯穿该堆叠晶片且深入该下晶片,其中该导电插塞设置于该第一导电区块及该第二导电区块之内。
地址 中国台湾桃园县