| 发明名称 | 半导体散热结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种半导体散热结构，包括：一半导体元件、一盖体；所述盖体具有一第一侧及一第二侧与一辐射散热层，其中盖体通过该第一侧覆盖于前述半导体元件的外部并与该半导体元件接触，而所述辐射散热层形成于该盖体的第二侧，通过本实用新型的半导体散热结构可令被盖体覆盖的半导体元件所产生的热量能快速被导出，并借由辐射散热快速解热而不产生积热。 | ||
| 申请公布号 | CN203871313U | 申请公布日期 | 2014.10.08 |
| 申请号 | CN201320879052.1 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 奇鋐科技股份有限公司 | 发明人 | 林志晔;陈志明 |
| 分类号 | H01L23/367(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/367(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人 | 史霞 |
| 主权项 | 一种半导体散热结构，其特征在于，包括： 一半导体元件； 一盖体，具有一第一侧及一第二侧与一辐射散热层，通过该第一侧覆盖于前述半导体元件外部并与该半导体元件的一侧接触，所述辐射散热层形成于该第二侧，所述辐射散热层为一种多孔结构或奈米结构体其中任一。 | ||
| 地址 | 中国台湾新北市新庄区五权二路24号7F-3 | ||