发明名称 | 用于制备层压体的方法 | ||
摘要 | 本发明提供用于制备层压体的方法。所述用于制备层压体的方法包括:膜形成步骤,用于在支持体(110)上形成具有一个或多个层的薄膜(120,160),以获得薄膜;缺陷覆盖层(130,170)形成步骤,用于通过CVD在薄膜(120,160)上形成缺陷覆盖层(130,170);和检查步骤,用于透过缺陷覆盖层(130,170)的顶部检测尺寸为0.1μm以上且20μm以下的缺陷(180)。该方法能够制备具有较少缺陷的层压体,其有效地允许检测细小缺陷。 | ||
申请公布号 | CN101750421B | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
申请号 | CN200910260476.8 | 申请日期 | 2009.12.15 |
申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 高桥伸辅;西田弘幸;藤浪达也 |
分类号 | G01N21/892(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/892(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
主权项 | 一种用于制备层压体的方法,所述方法包括:膜形成步骤,所述膜形成步骤用于在支持体(110)上形成具有一个或多个层的薄膜(120,160);缺陷覆盖层形成步骤,所述缺陷覆盖层形成步骤用于通过电容耦合等离子体‑CVD以在200至2000nm/分钟范围内的成膜速率在所述薄膜上形成缺陷覆盖层(130,170);和检查步骤,所述检查步骤用于透过所述缺陷覆盖层(130,170)的顶部检测尺寸为0.1μm以上且20μm以下的缺陷(180)。 | ||
地址 | 日本国东京都 |