半导体装置

摘要

所揭示的是一半导体装置，包含薄膜电晶体和连接至薄膜电晶体的导线，其中该薄膜电晶体具有通道形成区域在氧化物半导体层中，且闸极电极、源极电极、汲极电极、闸极导线、源极导线和汲极导线之至少一者使用铜金属。具有氧化物半导体层的电晶体的极低关闭电流有助于半导体装置之降低功耗。因此，铜金属的使用允许结合显示元件之半导体装置提供具有高显示画质和可忽略之缺陷的显示装置，其来自以铜金属所形成之导线和电极的低电阻。

主权项

一种半导体装置，包含：绝缘基膜在基板之上；闸极电极在该绝缘基膜之上；第一绝缘层在该绝缘基膜和该闸极电极之上且与该绝缘基膜和该闸极电极接触；氧化物半导体层在该第一绝缘层之上；源极电极和汲极电极在该氧化物半导体层之上且与该氧化物半导体层电气接触；以及第二绝缘层在该氧化物半导体层、该源极电极、和该汲极电极之上且与该氧化物半导体层、该源极电极、和该汲极电极接触，其中该源极电极和该汲极电极之各者包含：第一层在该氧化物半导体层之上，该第一层包含铜；以及第二层在该第一层之上，该第二层包含导电金属氮化物。