| 发明名称 |
一种B位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜 |
| 摘要 |
本发明公开了一种B位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜，属于功能薄膜领域。该薄膜以化学通式Na<sub>0.5</sub>Bi<sub>0.5</sub>(Ti<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>)O<sub>3</sub>表示，其中，x为锆离子的摩尔掺量，且0.01≤x≤0.04。本发明通过化学溶液法结合层层退火工艺，在镀有底电极的玻璃衬底上旋涂镀膜，氮气气氛中500~550℃的低温下热处理，制得具有良好电绝缘性、铁电性以及介电性的无铅薄膜。该薄膜能够用于制备非易失性铁电存储器，开发具有铁电、压电、光电、光折变及非线性光学特性的多功能材料和器件。 |
| 申请公布号 |
CN104072129A |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
| 申请号 |
CN201410156268.4 |
申请日期 |
2014.04.18 |
| 申请人 |
济南大学 |
发明人 |
杨长红;隋慧婷;吴海涛;杨锋;胡广达 |
| 分类号 |
C04B35/475(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C03C17/34(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/475(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种B位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜，其特征是：以化学通式Na<sub>0.5</sub>Bi<sub>0.5</sub>(Ti<sub>1‑x</sub>Zr<sub>x</sub>)O<sub>3</sub>表示，其中，Na<sub>0.5</sub>Bi<sub>0.5</sub>TiO<sub>3</sub>为基体，锆离子为掺杂离子。 |
| 地址 |
250022 山东省济南市南辛庄西路336号 |
