一种通孔刻蚀不足的检测方法

摘要

本发明公开了一种通孔刻蚀不足的检测方法，包括：在半导体衬底上建立多个测试模块，其中每一个测试模块模拟SRAM器件结构，其包括两个模拟传输门晶体管，两个模拟上拉晶体管和两个模拟下拉晶体管，该模拟传输门晶体管、模拟上拉晶体管和模拟下拉晶体管均为在P阱中的NMOS器件且模拟传输门晶体管的有源区上未形成栅极；在每一个测试模块上形成多个接触孔并填充金属，其中接触孔至少连接模拟传输门晶体管的有源区中对应于栅极的位置；在各接触孔上形成金属互连线以及导电通孔；以及通过电子束缺陷扫描仪在正电势条件下扫描测试模块并根据扫描得到的影像特征图检测测试模块的通孔刻蚀不足缺陷。本发明能够提高刻蚀不足缺陷的抓取率。

主权项

一种通孔刻蚀不足的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在半导体衬底上建立多个测试模块，每一所述测试模块模拟SRAM器件结构，其包括两个模拟传输门晶体管，两个模拟上拉晶体管和两个模拟下拉晶体管，其中所述模拟传输门晶体管、模拟上拉晶体管和模拟下拉晶体管均为在P阱中的NMOS器件且所述模拟传输门晶体管的有源区上未形成栅极；S2：在每一所述测试模块上形成多个接触孔并填充金属，所述接触孔至少连接所述模拟传输门晶体管的有源区中对应于栅极的位置；S3：在各所述接触孔上形成金属互连线以及导电通孔；以及S4：通过电子束缺陷扫描仪扫描所述测试模块并根据扫描得到的影像特征图检测所述测试模块的通孔刻蚀不足缺陷。