用于在封装期间应用芯片支撑来生产重组晶片的方法

摘要

本发明涉及一种用于共同制造包括芯片的重组晶片的方法，所述芯片在芯片的所谓的正面上具有连接垫，所述方法包括如下步骤：A）在初始胶粘剂载体上，在载体的正面上，放置所述芯片，其特征在于，其包括以下步骤：B）在大气压力和室温下，在初始载体和所述芯片上气相沉积电绝缘层，该层具有支撑所述芯片的机械作用；C）将覆盖有矿物层的所述芯片转移到临时胶粘剂载体上，所述芯片的背面面向该临时胶粘剂载体；D）移除所述初始胶粘剂载体；E）将所述芯片放置到卡盘上，所述芯片的正面面向卡盘；F）移除所述临时胶粘剂载体；G）在卡盘上沉积树脂以便封装芯片，然后固化树脂；H）移除卡盘；I）有源面上产生RDL层。

主权项

一种用于共同制造包括芯片（1）的重组晶片的方法，所述芯片在称为正面的所述芯片的面上展示连接垫（14），所述方法包括步骤A）在初始胶粘剂支撑（13）上，在支撑的正面上，定位所述芯片（1），其特征在于，其包括以下步骤：B）在大气压力和环境温度下，在初始支撑（13）和所述芯片（1）上气相沉积电绝缘层（2），该层具有保持所述芯片的机械作用，C）将覆盖有矿物层的所述芯片转移到临时胶粘剂支撑上，所述芯片的背面朝向该临时胶粘剂支撑，D）移除所述初始胶粘剂支撑（13），E）将所述芯片覆盖到“卡盘”类型的支撑上，所述芯片的正面朝向该支撑，F）移除所述临时胶粘剂支撑，G）在“卡盘”类型的所述支撑上沉积树脂（12）以便封装芯片，然后聚合树脂，H）移除“卡盘”类型的所述支撑，I）产生RDL层有源面侧。