半导体装置及其制造方法、以及具有该半导体装置的电路

摘要

本发明的目的是提供一种以更快的应答速度来将光讯号切换(switching)成电气讯号的元件及制造方法,在第1N型半导体领域(9),P型半导体领域(10)及第2N型半导体领域(11)以此顺序连接的半导体装置中,在P型半导体领域设置从传导带的下端起0.5eV以上且前述传导带的能隙的一半以下的施体能阶,成为使施体能阶的密度比在前述P型半导体领域形成P型的受体能阶的密度更高的构成。