化学气相沈积设备及使用其形成半导体磊晶薄膜之方法

摘要

本发明提供一种有关化学气相沈积设备包括：包含具有内部空间之预定体积之内管和紧密密封内管之外管之反应室；晶圆架置于内管内和其上以预定间隔堆叠多个晶圆；以及包含至少一供应外部反应气体至反应室之气体管路和与气体管路相通以喷出反应气体到晶圆之多个喷嘴之气体供应单元，据此半导体磊晶薄膜生长在晶圆表面，其中，半导体磊晶薄膜生长在晶圆表面包含发光结构，其中依序形成第一导电型半导体层，主动层和第二导电型半导体层。

主权项

一种化学气相沉积设备，包括：反应室，包含具有预定体积之内部空间的内管和紧密密封该内管之外管；晶圆架，置于该内管内，而该晶圆架上以预定间隔堆叠复数个晶圆；以及气体供应单元，包含至少一供应外部反应气体至该反应室之气体管路及与该气体管路相通以喷出该反应气体到该诸晶圆之复数个喷嘴，据此在该诸晶圆之表面上生长半导体磊晶薄膜；以及导引单元，以导引反应气体的流动，使自该诸喷嘴喷出的该反应气体流至各别之该诸晶圆的顶部和底部表面，其中，生长在该诸晶圆之表面上的该半导体磊晶薄膜包含发光结构，其中依序形成第一导电型半导体层，主动层和第二导电型半导体层。