发明名称 半导体元件结构及其制法
摘要 一种半导体元件结构,系包括:具有复数开孔的板体;形成于该板体之表面及该开孔表面上的绝缘层;以及由形成于该开孔中之导电块及与该导电块接触之导电迹线所构成的重布线路,且该导电迹线系形成于该板体表面之部分绝缘层上。本发明复提供一半导体元件结构之制法,藉此简化整体制程,提高产品结构可靠度。
申请公布号 TWI455271 申请公布日期 2014.10.01
申请号 TW100118060 申请日期 2011.05.24
申请人 矽品精密工业股份有限公司 台中市潭子区大丰路3段123号 发明人 赵俊杰;卢俊宏
分类号 H01L23/52;H01L21/768 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人 陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种半导体元件结构,系包括:板体,系具有复数开孔;绝缘层,系形成于该板体表面及该开孔表面上;以及重布线路,系由形成于该开孔中之导电块及与该导电块接触之导电迹线所构成,其中,该导电迹线系形成于该板体表面之部分绝缘层上。
地址 台中市潭子区大丰路3段123号