| 发明名称 | 磁阻器件和用于制造磁阻器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种磁阻器件和用于制造磁阻器件的方法。该磁阻器件包括衬底和在衬底之上布置的电绝缘层。磁阻器件还包括在电绝缘层中嵌入的第一自由层和在电绝缘层中嵌入的第二自由层。第一自由层和第二自由层被电绝缘层的一部分分离。 | ||
| 申请公布号 | CN104078561A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201410113466.2 | 申请日期 | 2014.03.25 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | J·齐默;R·拉伯格;S·施密特 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种磁阻器件，包括：衬底；在所述衬底之上布置的电绝缘层；在所述电绝缘层中嵌入的第一自由层；以及在所述电绝缘层中嵌入的第二自由层，其中所述第一自由层和所述第二自由层被所述电绝缘层的一部分分离。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝尔格 | ||