| 发明名称 |
单电子电晶体及其制造方法;SINGLE ELECTRON TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME |
| 摘要 |
本发明关于一种单电子电晶体及其制造方法。该单电子电晶体包括:通道区域,其包括形成于基板上的连结体、及由键结至该连结体之金属离子所生长的金属奈米粒子;配置于该通道区域一端之源极区域;配置于该通道区域另一端而与该源极区域对立之汲极区域;及耦合该通道区域且用以控制通道区域中的电荷迁移之闸极。 |
| 申请公布号 |
TW201438246 |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
| 申请号 |
TW103106496 |
申请日期 |
2014.02.26 |
| 申请人 |
ＳＫ新技术股份有限公司 |
发明人 |
金俊亨;李荣根;刘鸿;安成宰;金泰熙 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>王彦评</name><name>赖碧宏</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
南韩 |
