| 发明名称 | 图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种图像传感器及其制造方法，包括半导体衬底、光学传感器件、像素读出电路，其特征在于，半导体衬底包括支撑衬底、以及依次覆盖在所述支撑衬底表面的第一绝缘埋层、第一半导体层、第二绝缘埋层和第二半导体层；其中，第一半导体层和第二半导体层厚度不同，光学传感器件位于较厚的半导体层，像素读出电路位于较薄的半导体层。本发明的图像传感器具有较高的光吸收效率，电路具有高速、低功耗、抗闩锁的优良性能，同时还具有抗高能粒子辐射的能力。 | ||
| 申请公布号 | CN102522416B | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201110455382.3 | 申请日期 | 2011.12.30 |
| 申请人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明人 | 方娜;汪辉;陈杰 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人 | 成春荣;竺云 |
| 主权项 | 一种图像传感器，包括半导体衬底、光学传感器件、像素读出电路，其特征在于，所述半导体衬底包括支撑衬底、以及依次覆盖在所述支撑衬底表面的第一绝缘埋层、第一半导体层、第二绝缘埋层和第二半导体层；其中，第一半导体层和第二半导体层厚度不同，所述光学传感器件位于较厚的半导体层，所述的像素读出电路位于较薄的半导体层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区海科路99号 | ||