发光二极管及其制造方法

摘要

一种发光二极管，包括基板、形成在基板之上的第一未掺杂的GaN层。第一未掺杂的GaN层的与基板相反的表面具有多个离子植入区域。第一未掺杂的GaN层的具有离子植入区域的表面形成有多个第二未掺杂的GaN层，第二未掺杂的GaN层为岛状且部分覆盖所述离子植入区域。第二未掺杂的GaN层的表面以及离子植入区域的表面形成有一层布拉格反射层。在布拉格反射层的表面依次形成有N型GaN层、活性层以及P型GaN层。本发明还提供了一种发光二极管的制造方法。

主权项

一种发光二极管，包括：基板；第一未掺杂的GaN层，形成在基板之上，所述第一未掺杂的GaN层的与基板相反的表面形成有多个离子植入区域；多个第二未掺杂的GaN层，形成在第一未掺杂的GaN层之上，所述第二未掺杂的GaN层为岛状且部分覆盖离子植入区域；布拉格反射层，形成在第二未掺杂的GaN层的表面以及离子植入区域的未被第二未掺杂的GaN层覆盖的表面；以及N型GaN层、活性层以及P型GaN层，依次生长在布拉格反射层的表面。