发明名称 湿式蚀刻装置
摘要 本发明提供了一种湿式蚀刻装置,其供给适当的二氧化硅浓度的磷酸水溶液,能够通过氮化膜和氧化膜的充分的选择比进行湿式蚀刻。所述湿式蚀刻装置包括:贮存磷酸水溶液的贮存部(20);贮存二氧化硅添加剂的添加剂贮存部(30);浓度检测部(22),其用于检测贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液的二氧化硅浓度;控制部(100),当由浓度检测部(22)检测出的磷酸水溶液的二氧化硅浓度低于规定值时,所述控制部(100)从添加剂贮存部(30)向贮存部(20)供给二氧化硅添加剂;以及处理部(40),其利用贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液对基板(W)进行处理。
申请公布号 CN104078391A 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201410218651.8 申请日期 2014.03.28
申请人 芝浦机械电子株式会社 发明人 小林信雄;黑川祯明;滨田晃一
分类号 H01L21/67(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 周欣;陈建全
主权项 一种湿式蚀刻装置,其是对至少形成有氮化膜和氧化膜的基板进行处理的湿式蚀刻装置,其特征在于,该装置包括:贮存磷酸水溶液的贮存部;贮存二氧化硅添加剂的添加剂贮存部;浓度检测部,其用于检测贮存在所述贮存部中的磷酸水溶液的二氧化硅浓度;添加剂供给部,当由所述浓度检测部检测出的磷酸水溶液的二氧化硅浓度低于规定值时,所述添加剂供给部从所述添加剂贮存部向所述贮存部供给二氧化硅添加剂;以及处理部,其利用贮存在所述贮存部中的磷酸水溶液对基板进行处理。
地址 日本神奈川县
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