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发明名称
半导体装置
摘要
[课题]本发明是在于提供一种在被要求相对的精度的尺寸不同的2个MOS Tr.中,可使在自己发热不能无视的电力消费的电路之温度依存性的电流镜比形成一定之半导体装置。此半导体装置(1)是被分割成2个以上的预定的尺寸的MOS Tr.(103)及尺寸比较大同样被分割的MOS Tr.(104)会成为1组(105),藉由周期性的配置构造形成于基板(102),可取得位置所产生的温度分布的不均一性不会影响MOS Tr.(103)及MOS Tr(104)的总尺寸的电流镜比之效果。
申请公布号
TW201438193
申请公布日期
2014.10.01
申请号
TW103104254
申请日期
2014.02.10
申请人
日立制作所股份有限公司
发明人
宫越贤治;柳田洋平;木村浩树;大岛文
分类号
H01L27/04(2006.01);H01L29/78(2006.01)
主分类号
H01L27/04(2006.01)
代理机构
代理人
<name>林志刚</name>
主权项
地址
日本
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