| 发明名称 |
用于化学机械研磨后（ｐｏｓｔ－ＣＭＰ）清洗配方之新颖抗氧化剂 |
| 摘要 |
本发明系关于一种用于自具有化学机械研磨(CMP)后残留物及污染物之微电子装置上清洗该残留物及污染物的清洗组成物及方法。该清洗组成物包含新颖的腐蚀抑制剂。该组成物达成CMP后残留物及污染物质自微电子装置表面之高度有效的清洗，而不会损及低k介电材料或铜互连材料。 |
| 申请公布号 |
TWI454574 |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
| 申请号 |
TW097118043 |
申请日期 |
2008.05.16 |
| 申请人 |
尖端科技材料公司 美国 |
发明人 |
张鹏;杰佛里 巴尼斯;佩尔纳 索萨利亚;艾曼纽 库帕;卡尔 伯格斯 |
| 分类号 |
C11D7/32;C11D7/26;C11D3/00;C23G1/00;H01L21/302 |
主分类号 |
C11D7/32 |
| 代理机构 |
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代理人 |
赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼 |
| 主权项 |
一种清洗组成物，其系由至少一溶剂、至少一腐蚀抑制剂、至少一第四硷、及至少一有机胺所组成，其中该腐蚀抑制剂包含选自由下列所组成之群之物质：三聚氰酸；巴比妥酸及其衍生物；葡醛酸；方形酸(squaric acid)；α-酮酸；腺苷及其衍生物；嘌呤化合物及其衍生物；膦酸衍生物；啡啉/抗坏血酸；甘胺酸/抗坏血酸；菸硷醯胺及其衍生物；黄酮醇及其衍生物；花青素(anthocyanins)及其衍生物；黄酮醇/花青素；槲黄素(quercitia)及其衍生物；槲黄素/花青素；及其组合，其中该清洗组成物可有效地自具有残留物之微电子装置上移除该残留物。 |
| 地址 |
美国 |
