发明名称 光谱传感器及其制造方法
摘要 本发明提供一种光谱传感器及其制造方法。该制造方法包括:在半导体基板上形成受光元件的工序(a);在半导体基板之上形成角度限制滤波器的工序(b);在角度限制滤波器之上形成光谱滤波器的工序(c)。形成光谱滤波器的工序(c)包括如下工序:工序(c1),通过剥离法而形成第一透光膜,所述第一透光膜具有在俯视观察半导体基板时与遮光部重叠的边缘部;工序(c2),通过剥离法而在俯视观察半导体基板时远离第一透光膜的位置处形成第二透光膜,所述第二透光膜具有在俯视观察半导体基板时与遮光部重叠的边缘部。
申请公布号 CN104078476A 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201410123124.9 申请日期 2014.03.28
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 中村纪元;花冈辉直;矢野邦彦
分类号 H01L27/146(2006.01)I;G01J3/36(2006.01)I;G01J3/02(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人 黄威;苏萌萌
主权项 一种光谱传感器的制造方法,其特征在于,包括如下工序:工序(a),在半导体基板上形成受光元件;工序(b),在所述工序(a)之后,在所述半导体基板之上形成具有遮光部、第一开口及第二开口的角度限制滤波器,其中,所述第一开口及第二开口在俯视观察所述半导体基板时隔着所述遮光部彼此相邻;工序(c),在所述工序(b)之后,在所述角度限制滤波器之上形成具有第一透光膜和第二透光膜的光谱滤波器,其中,所述第一透光膜具有第一膜厚,并且位于在俯视观察所述半导体基板时与所述第一开口重叠的位置处,所述第二透光膜具有与所述第一膜厚不同的第二膜厚,并且位于在俯视观察所述半导体基板时与所述第二开口重叠的位置处,所述工序(c)包括如下工序:工序(c1),通过剥离法而形成所述第一透光膜,所述第一透光膜具有在俯视观察所述半导体基板时与所述遮光部重叠的边缘部;工序(c2),在所述工序(c1)之后,通过剥离法而在俯视观察所述半导体基板时远离所述第一透光膜的位置处形成所述第二透光膜,所述第二透光膜具有在俯视观察所述半导体基板时与所述遮光部重叠的边缘部。
地址 日本东京