| 发明名称 | 自体辐射散热结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种自体辐射散热结构，包括：一发热源，所述发热源为一电池或半导体元件或IC芯片其中任一，在所述发热源至少一侧通过贴附及印刷及涂布其中任一形成一辐射散热层，所述辐射散热层呈黑色或亚黑色或深色系的颜色其中任一，所述辐射散热层为一种高辐射陶瓷结构或高硬度陶瓷结构其中任一。通过本实用新型的自体辐射散热结构可大幅增加发热源自体向外辐射散热的效率，达到快速散热不产生积热的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN203859966U | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201320879030.5 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 奇鋐科技股份有限公司 | 发明人 | 林志晔;陈志明 |
| 分类号 | H05K7/20(2006.01)I;G06F1/20(2006.01)I | 主分类号 | H05K7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人 | 史霞 |
| 主权项 | 一种自体辐射散热结构，其特征在于，包括： 一发热源，所述发热源为一电池或半导体元件或IC芯片其中任一，在该发热源外部至少一侧通过贴附及印刷及涂布其中任一形成一辐射散热层，所述辐射散热层呈黑色或亚黑色或深色系的颜色其中任一，所述辐射散热层为一种高辐射陶瓷结构或高硬度陶瓷结构其中任一。 | ||
| 地址 | 中国台湾新北市新庄区五权二路24号7F-3 | ||