发明名称 LED芯片
摘要 本实用新型提供了一种LED芯片,芯片背面设置隐形切割纹,隐形切割纹纵深为57~63μm。本实用新型提供的LED芯片通过设置深度为57~63μm的隐形切割纹,使得经过后续工艺处理后LED芯片的破片率降低至0.95%。
申请公布号 CN203859152U 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201420163600.5 申请日期 2014.04.04
申请人 湘能华磊光电股份有限公司 发明人 马青会
分类号 H01L33/54(2010.01)I 主分类号 H01L33/54(2010.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 吴贵明
主权项 一种LED芯片,其特征在于,所述芯片背面设置隐形切割纹,所述隐形切割纹纵深为57~63μm。 
地址 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘有色金属产业园区