发明名称 | LED芯片 | ||
摘要 | 本实用新型提供了一种LED芯片,芯片背面设置隐形切割纹,隐形切割纹纵深为57~63μm。本实用新型提供的LED芯片通过设置深度为57~63μm的隐形切割纹,使得经过后续工艺处理后LED芯片的破片率降低至0.95%。 | ||
申请公布号 | CN203859152U | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
申请号 | CN201420163600.5 | 申请日期 | 2014.04.04 |
申请人 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发明人 | 马青会 |
分类号 | H01L33/54(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/54(2010.01)I |
代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明 |
主权项 | 一种LED芯片,其特征在于,所述芯片背面设置隐形切割纹,所述隐形切割纹纵深为57~63μm。 | ||
地址 | 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘有色金属产业园区 |