发明名称 晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆及其制备方法、晶体硅太阳电池及其制备方法
摘要 本发明公开了一种晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆及其制备方法,以向光面种子层银浆的总质量为基准,所述向光面种子层银浆中含有30~50wt%的导电银粉、5.0~20wt%的空心玻璃粉和40~60wt%的有机载体;其中,所述空心玻璃粉的中粒径为5.0~10µm,平均壁厚为1.0~3.0µm。本发明还提供了采用该向光面种子层银浆制备晶体硅太阳电池的方法以及由该方法制备得到的晶体硅太阳电池。本发明提供的向光面种子层银浆中含银量少,印刷体积大,烧结后形成物质量少,得到的烧结残余物窄细、密实,与硅的接触电阻小,因此非常适合后续的光诱导电镀工艺,使得晶体硅太阳电池的材料成本大大降低,且光电转化效率无明显降低。
申请公布号 CN104078091A 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201310102746.9 申请日期 2013.03.27
申请人 比亚迪股份有限公司 发明人 何龙;姜占锋;谭伟华;赵志强
分类号 H01B1/16(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 主分类号 H01B1/16(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种晶体硅太阳电池的向光面种子层银浆,其特征在于,以向光面种子层银浆的总质量为基准,所述向光面种子层银浆中含有30~50wt%的导电银粉、5.0~20wt%的空心玻璃粉和40~60wt%的有机载体;其中,所述空心玻璃粉的中粒径为5.0~10µm,平均壁厚为1.0~3.0µm。
地址 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号