半导体发光元件之制造方法、半导体发光元件、电子机器及机器装置

摘要

提供一种半导体发光元件之制造方法，其系使用化合物半导体基板，该化合物半导体基板系于基板上至少成膜有1个化合物半导体层且翘曲量H在50μm≦H≦250μm之范围，并具有于此之上积层该化合物半导体层之再成长层的制程，而可缩小所制得之半导体发光层的发光波长分布σ。采用一种半导体发光元件之制造方法，该半导体发光元件具有由化合物半导体构成之n型半导体层、发光层、以及p型半导体层，其特征在于：准备化合物半导体基板，该化合物半导体基板系于基板上至少成膜有1个化合物半导体层且翘曲量H在50μm≦H≦250μm之范围，并具备在有机金属化学气相成长装置内，于该化合物半导体基板之化合物半导体层上，积层该化合物半导体层之再成长层的制程而成。

主权项

一种半导体发光元件之制造方法，该半导体发光元件具有由化合物半导体构成之n型半导体层、发光层、以及p型半导体层，该半导体发光元件之制造方法的特征在于：准备化合物半导体基板，该化合物半导体基板系于基板上至少成膜有1个化合物半导体层且翘曲量H在50μm≦H≦250μm之范围，并具备在有机金属化学气相成长装置内，于该化合物半导体基板之化合物半导体层上，以0.2μm~5μm之膜厚积层该化合物半导体层之再成长层的制程而成。