| 摘要 |
1. Способ обработки поверхности заготовки, содержащий этапы, на которых:обеспечивают камеру пониженного давления;формируют пучок газовых кластерных ионов, содержащий газовые кластерные ионы внутри данной камеры пониженного давления;ускоряют газовые кластерные ионы, чтобы сформировать пучок ускоренных газовых кластерных ионов вдоль траектории пучка внутри камеры пониженного давления;стимулируют фрагментацию и/или диссоциацию, по меньшей мере, части ускоренных газовых кластерных ионов вдоль траектории пучка;удаляют заряженные частицы из данной траектории пучка, чтобы сформировать ускоренный нейтральный пучок вдоль траектории пучка в камере пониженного давления;удерживают заготовку на траектории пучка; иобрабатывают, по меньшей мере, часть поверхности данной заготовки путем ее облучения ускоренным нейтральным пучком.2. Способ по п. 1, в котором на этапе удаления удаляют, по существу, все заряженные частицы из траектории пучка.3. Способ по п. 1, в котором данный нейтральный пучок, по существу, свободен от кластеров промежуточного размера.4. Способ по п. 1, в котором данный нейтральный пучок состоит, по существу, из газа от данного пучка газовых кластерных ионов.5. Способ по п. 1, в котором этап стимуляции включает в себя этап, на котором повышают ускоряющее напряжение на этапе ускорения или улучшают эффективность ионизации при формировании пучка газовых кластерных ионов.6. Способ по п. 1, в котором этап стимуляции включает в себя этап, на котором увеличивают интервал скоростей ионов в ускоренном пучке газовых кластерных ионов.7. Способ по п. 1, в котором этап стимуляции включает в себя этап, на котором вводят один ил |
