| 摘要 |
Спосіб отримання термоелектричного наноструктурованого станум телуриду на ситалових підкладках включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки SnTe випаровують при температурі Т, осаджують пару на підкладку при температурі Тдо досягнення певної товщини d. Як підкладку використовують ситал, температура випарника складає Т=(870±10) К, температура підкладки - Т=(470±10) К. |
