热辅助磁写入存储器

摘要

一种热辅助磁写入存储器，包括存储点或存储单元，每个存储点或存储单元包括由以反铁磁材料制成的层彼此分离的双磁隧道结，其中，构成它们的层的堆叠顺序彼此相反，每个磁隧道结包括：参考层；存储层；绝缘层，其插入在参考层与存储层之间，构成相关的磁隧道结的隧道势垒；层的截止温度低于对应磁隧道结的参考层的截止温度。两个隧道势垒的电阻与面积的乘积RA是不同的。每一存储点包括：用于将存储层加热到高于该层的截止温度的温度的装置。存储器包括：用于施加磁场的装置，以便相对于一个或多个参考层的磁化对每一存储点的一个或多个存储层的磁化进行定向，而不改变相关的参考层的方向。

主权项

一种热辅助磁写入存储器，包括存储点(50)，每个存储点(50)包括由以反铁磁材料制成的层(70)彼此分离的双磁隧道结(51，52)，并且其中，构成磁隧道结的层的堆叠顺序相对于彼此是相反的，所述磁隧道结(51，52)中的每一个包括：‑磁参考层(53，56)，称为“固定层”，其磁化具有固定方向；‑磁存储层(55，58)，称为“自由层”，其磁化方向是可变的，并且包括由具有所述自由层面内磁化的铁磁材料制成的至少一个层，其通过与固定层交换而以磁方式耦合，所述固定层由反铁磁材料制成并且所述固定层包括对所述双磁隧道结进行分离的层(70)；‑绝缘层(54，57)，其插在所述磁参考层与所述存储层之间，构成相关的磁隧道结的隧道势垒；其特征在于：‑由对所述存储层(55，58)进行分离的反铁磁材料制成的层(70)的截止温度低于对应磁隧道结的磁参考层的截止温度；‑两个隧道势垒(54，57)的电阻与面积的乘积RA是不同的；‑每一存储点(50)包括：用于将所述存储层加热到高于所述反铁磁材料制成的层(70)的截止温度的温度的装置(132‑135)；‑所述存储器包括：用于施加磁场的装置(130)，以便相对于一个或多个磁参考层的磁化对每一存储点(50)的一个或多个存储层的磁化进行定向，而不改变相关的磁参考层的方向；‑所述存储层(55，58)跨越由分离所述存储层的反铁磁材料制成的层(70)以静磁方式耦合，使得当相关的磁隧道结中的温度超过反铁磁材料层(70)的截止温度时，并且在没有磁场施加到所述存储器的情况下，或者在比所述存储层之间的静磁耦合更低强度的磁场的影响下，以逆平行配置来设置所述存储层的磁化。