发明名称 |
一种用于红外焦平面阵列器件的微结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种用于红外焦平面阵列器件的微结构及其制造方法,其包括第一衬底、第二衬底及第三衬底;第一衬底上覆盖有钝化介质层,钝化介质层下方内设有CMOS读取电路,CMOS读取电路包括最外层的反光板,钝化介质层内设有共振槽;钝化介质层上设有第一低温键合体及第二低温键合体;第二衬底内设有空腔,在任意空腔的下方均设有红外敏感区及热隔离悬臂梁;红外敏感区包括红外吸收层及硅岛,硅岛内设有若干串联分布的二极管;第二衬底上设有第三低温键合体及第四低温键合体,第三低温键合体通过连接线与第二衬底相连,第一衬底与第二衬底、第三衬底通过真空键合相连连接。本发明工艺步骤简单,与常规IC工艺兼容,检测精度高,制造方便。 |
申请公布号 |
CN102593133B |
申请公布日期 |
2014.09.24 |
申请号 |
CN201210088833.9 |
申请日期 |
2012.03.29 |
申请人 |
江苏物联网研究发展中心 |
发明人 |
欧文 |
分类号 |
H01L27/144(2006.01)I;G01J5/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/144(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 |
代理人 |
曹祖良 |
主权项 |
一种用于红外焦平面阵列器件的微结构,其特征是:包括第一衬底(101)及位于所述第一衬底(101)上方的第二衬底(201),所述第二衬底(201)的上方设有第三衬底(301);所述第一衬底(101)的表面上覆盖有钝化介质层(102),所述钝化介质层(102)下方的第一衬底(101)内设有CMOS读取电路,所述CMOS读取电路包括最外层的反光板(104),刻蚀反光板(104)上方相应的钝化介质层(102)以形成位于钝化介质层(102)内的共振槽;在共振槽外圈的钝化介质层(102)上设有第一低温键合体(105)及位于第一低温键合体(105)外圈的第二低温键合体(106);在第二衬底(201)内设有若干贯通第二衬底(201)的空腔(212),第二衬底(201)内对应空腔(212)的外侧设有阻挡槽,所述阻挡槽的内壁及底部覆盖有释放腐蚀阻挡层(209),并在阻挡槽内填充热沉(210);在任意空腔(212)的下方均设有红外敏感区(205)及位于红外敏感区(205)外侧的热隔离悬臂梁(204);红外敏感区(205)包括红外吸收层(214)及硅岛(213),所述硅岛(213)通过绝缘介质层与红外吸收层(214)相绝缘隔离,硅岛(213)内设有若干串联分布的二极管;第二衬底(201)上设有与第一低温键合体(105)相对应分布的第三低温键合体(207)及与第二低温键合体(106)相对应分布的第四低温键合体(208),所述第三低温键合体(207)通过连接线(203)与第二衬底(201)相连,连接线(203)位于红外敏感区(205)及热隔离悬臂梁(204)的外圈,且连接线(203)与硅岛(213)内的二极管电连接;第三低温键合体(207)与第四低温键合体(208)间设有吸气剂(206);第一衬底(101)与第二衬底(201)通过第一低温键合体(105)与第三低温键合体(207)对应真空焊接以及第二低温键合体(106)与第四低温键合体(208)对应真空焊接后连接成一体,并使得红外吸收层(214)与反光板(104)间的共振槽形成共振腔;第二衬底(201)对应邻近第三衬底(301)的表面设有第五低温键合体(211),第三衬底(301)上设有与第五低温键合体(211)相对应分布的第六低温键合体(302),第二衬底(201)与第三衬底(301)通过第五低温键合体(211)及第六低温键合体(302)真空焊接后连接成一体。 |
地址 |
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