| 发明名称 | 电容式微机械换能器及制造所述电容式微机械换能器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造电容式微机械换能器(100)特别是CMUT的方法，所述方法包括：在基底(1)上沉积第一电极层(10)；在所述第一电极层(10)上沉积第一介电薄膜(20)；在所述第一介电薄膜(20)上沉积牺牲层(30)，所述牺牲层(30)是可移除的，以形成所述换能器的空腔(35)；在所述牺牲层(30)上沉积第二介电薄膜(40)；并且，在所述第二介电薄膜(40)上沉积第二电极层(50)，其中，所述第一介电薄膜(20)和/或所述第二介电薄膜(40)包括：包括氧化物的第一层、包括高k材料的第二层以及包括氧化物的第三层，并且其中，通过原子层沉积来执行所述沉积步骤。本发明还涉及一种通过这样的方法来制造的电容式微机械换能器(100)，特别是CMUT。 | ||
| 申请公布号 | CN104066521A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201380006576.2 | 申请日期 | 2013.01.18 |
| 申请人 | 皇家飞利浦有限公司 | 发明人 | P·迪克森;R·毛奇斯措克;K·卡拉卡亚;J·H·克鲁特威克;B·马赛利斯;M·米尔德 |
| 分类号 | B06B1/02(2006.01)I | 主分类号 | B06B1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 李光颖;王英 |
| 主权项 | 一种制造电容式微机械换能器(100)、特别是CMUT的方法，所述方法包括：‑在基底(1)上沉积第一电极层(10)，‑在所述第一电极层(10)上沉积第一介电薄膜(20)，‑在所述第一介电薄膜(20)上沉积牺牲层(30)，所述牺牲层(30)是能够移除的，以形成所述换能器的空腔(35)，‑在所述牺牲层(30)上沉积第二介电薄膜(40)，并且‑在所述第二介电薄膜(40)上沉积第二电极层(50)，其中，所述第一介电薄膜(20)和/或所述第二介电薄膜(40)包括：包括氧化物的第一层、包括高k材料的第二层以及包括氧化物的第三层，并且其中，所述沉积的步骤是通过原子层沉积来执行的。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||