进行成膜和清洗的真空处理方法

摘要

一种真空处理方法，一边对待机状态的处理装置进行清洗处理一边在动作状态的处理装置中以一定间隔对基板进行真空处理。将反复进行一定的处理时间T的真空处理的动作个数m个的动作周期设定为一真空处理的一处理开始时刻各相差T/m，从作为基准的动作条件的连续处理开始时刻开始，令其他的动作周期的连续处理开始时刻每个延迟延迟时间（n·T+T/m）（n为1以上的整数），进行连续处理次数N张的处理，则从动作状态向待机状态变更，与结束了清洗处理的处理装置交接。由于在待机状态中进行清洗处理，所以能够对以长度与时间差T/m相同长度的运入间隔被运入的基板没有迟滞地进行真空处理。

主权项

一种真空处理方法，在具有真空槽且对运入上述真空槽内的基板形成薄膜的多个的处理装置个数M的处理装置中，比上述处理装置个数M少的动作个数m个的上述处理装置成为能够对上述基板进行成膜处理的动作状态，剩下的待机个数（M‑m）个的上述处理装置为不进行上述成膜处理而能够进行上述真空槽内的薄膜除去的清洗处理的待机状态，设定连续处理次数N，处于上述动作状态的上述处理装置在进行了上述连续处理次数N次的上述成膜处理后，从上述动作状态向上述待机状态变更而进行上述清洗处理，结束了上述清洗处理的上述处理装置从上述待机状态向上述动作状态变更，进行上述连续处理次数N次的上述基板的上述成膜处理，其中，从能够开始向上述真空槽内运入上述基板的状态起，直到运入上述基板而进行上述成膜处理、在上述成膜处理结束后运出上述基板而变为开始接下来的未处理基板的运入的状态，作为一个成膜处理动作，上述成膜处理动作以一定的处理时间T进行，在与上述动作个数m为相同的个数、上述成膜处理动作以上述处理时间T间隔反复进行的动作周期中，作为各动作周期的上述成膜处理动作的开始时刻的一处理开始时刻各相差将处理时间T除以动作个数m的时间差（T/m），多个处于上述动作状态的上述处理装置按照各自不同的上述动作周期，若变为上述一处理开始时刻则开始上述成膜处理动作，从上述动作状态变更为上述待机状态的上述处理装置在结束第连续处理次数N次的上述成膜处理动作的同时，从上述待机状态向上述动作状态变更的上述处理装置开始上述成膜处理动作，按照从上述动作状态变更为上述待机状态的上述处理装置进行动作的上述动作周期而连续地进行上述连续处理次数N次的上述成膜处理动作。