| 发明名称 | 用于检测芯片温度变化的器件 | ||
| 摘要 | 一种用来检测集成电路芯片衬底温度变化的器件，其包括，在衬底中用注入电阻连接成的惠特斯通桥，其中该桥中两个第一相对的电阻各由与第一方向平行的金属线阵列所覆盖，该第一方向定义为，衬底应力沿此方向的变化会导致桥中不平衡值的变化。 | ||
| 申请公布号 | CN102042882B | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201010504538.8 | 申请日期 | 2010.10.08 |
| 申请人 | 意法半导体(鲁塞)公司 | 发明人 | 克里斯蒂安·里弗罗 |
| 分类号 | G01K7/16(2006.01)I | 主分类号 | G01K7/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种用来检测集成电路芯片衬底温度变化的器件，其包括，衬底中的注入电阻(31，33，35，37；41，43，45，47)，该注入电阻连接成惠特斯通桥，其中该桥中两个第一相对的电阻(35，37；45，47)中的每一个由与第一方向平行的金属线阵列(21)所覆盖，该第一方向定义为，衬底应力沿此方向的变化会导致该桥中不平衡值的变化，其中注入电阻包含在第二导电类型区域中所制成的第一导电类型的掺杂区域。 | ||
| 地址 | 法国鲁塞 | ||