鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部，位于所述鳍部上的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁；刻蚀所述栅极结构两侧的部分鳍部，形成开口；在所述开口的底部和侧壁表面形成阻挡氧化层；在所述开口内形成嵌入式源区和漏区。本发明的鳍式场效应晶体管的形成方法防止了嵌入式源区和漏区的掺杂杂质扩散进入负遮盖区，有利于提高晶体管性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部，位于所述鳍部上的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁；刻蚀所述栅极结构两侧的部分鳍部，形成开口；在所述开口的底部和侧壁表面形成阻挡氧化层；在所述开口内形成嵌入式源区和漏区。