发明名称 半导体制造装置以及半导体晶片支架
摘要 本发明提供一种半导体制造装置以及半导体晶片支架。根据一个实施方式,半导体晶片支架具有支承半导体晶片的第1保持区域部;以及包围第1保持区域并被支承于旋转体单元的第2保持区域部,第1保持区域部和第2保持区域部有阶差,在第1保持区域部中,在半导体晶片被支承于第1保持区域部时的半导体晶片的外缘的位置设置有多个通气孔。
申请公布号 CN104064490A 申请公布日期 2014.09.24
申请号 CN201310363069.6 申请日期 2013.08.20
申请人 株式会社东芝 发明人 东真也;佐藤慎哉;佐久间智教;大泽明彦;小林浩秋;山崎修;西村博司
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 许海兰
主权项 一种半导体制造装置,具有:腔室;反应气体导入口,设置于所述腔室,向所述腔室内导入反应气体;气体排放口,设置于所述腔室,排出所述反应气体;旋转体单元,设置于所述腔室内;半导体晶片支架,设置于所述旋转体单元的上部,保持半导体晶片;加热器,设置于所述旋转体单元的内部;以及净化气体导入口,向由所述旋转体单元、半导体晶片支架、以及所述半导体晶片包围的空间供给净化气体,所述半导体晶片支架具有:第1保持区域部,支承所述半导体晶片;以及第2保持区域部,包围所述第1保持区域,被支承于所述旋转体单元,所述第1保持区域部和所述第2保持区域部有阶差,在所述第1保持区域部中,在所述半导体晶片被支承于所述第1保持区域部时的所述半导体晶片的外缘的位置设置有多个通气孔,所述阶差的构造具有:所述第1保持区域部的上表面;所述第2保持区域部的上表面;以及与所述第1保持区域部的所述上表面和所述第2保持区域部的所述上表面相连的所述第2保持区域部的内侧面,所述多个通气孔的各自之上,设置有从所述第2保持区域部的所述内侧面朝向所述第1保持区域部侧突起的突起部,当所述半导体晶片被支承于所述第1保持区域部时,所述半导体晶片的所述外缘与所述突起部相向。
地址 日本东京都