发明名称 |
一种双向触发二极管芯片及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种双向触发二极管芯片及其制作方法,利用双极型晶体管的发射极与基极串联电阻后,集电极与发射极之间的反向击穿电压随着电阻大小不同具有不同的负阻特性的原理,形成两个对称的且共用集电区的双极型晶体管,且每个平面双极型晶体管的发射极与基极之间串联第二电阻,实行双向触发二极管电压回弹功能,同时通过电阻及双极型晶体管的电流放大系数大小可对其回弹电压大小进行控制调整,由此,厚度可以满足5英寸、6英寸及更大尺寸硅片的生产需求,且工艺与常规集成电路制造工艺兼容,生产效率大幅度提高,操作方便,同时降低了生产成本,该芯片尤其适用于先进的表面贴装二极管封装类型。 |
申请公布号 |
CN104064605A |
申请公布日期 |
2014.09.24 |
申请号 |
CN201410240136.X |
申请日期 |
2014.05.30 |
申请人 |
杭州士兰集成电路有限公司 |
发明人 |
王英杰;徐敏杰;刘宪成;崔建 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种双向触发二极管芯片,其特征在于,包括:第一二极管、第二二极管、双极型晶体管组、第一电阻和第二电阻,所述双极型晶体管组包括两个对称的双极型晶体管,所述双极型晶体管组中两个双极型晶体管的集电区均与所述第一二极管和第二二极管的阴极连接,其中一双极型晶体管的发射区与第一二极管的阳极连接,另一双极型晶体管的发射区与第二二极管的阳极之间串联所述第一电阻,每个双极型晶体管的发射区与基区之间串联所述第二电阻。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市(下沙)经济技术开发区东区10号路308号 |